KBL410 KBL610 Puente rectificador de silicio KBPC610 Productos semiconductores discretos
Precio: Negotiated
MOQ: 10pieces
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: MDD
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Serie KBL410 KBL610 KBU610 KBU810 KBU1010 KBU1510 KBU2510 KBPC610 KBL
Diodos rectificadores de puente de silicio - Rectificadores de puente - Productos semiconductores discretos Transistores
Descripción:
Rectificador de puente de silicio de orificio pasante, serie KBL, tipo KBL410, 4 pines, v... Ver más
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Semiconductores discretos bipolares del transistor TIP122 TIP127 TIP142P NPN PNP
Precio: Negotiated
MOQ: 10pieces
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: STMicroelectronics
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TIP35C TIP41C TIP42C TIP122 TIP127 TIP142P
Transistores complementarios NPN - PNP Productos semiconductores discretos bipolares
Transistores de potencia complementarios
Descripción:
Los dispositivos se fabrican en tecnología planar con disposición en “isla base”.Los transistores resultantes ... Ver más
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Rectificador de puente de cocina de inducción D15XB100 15A 1000V SIP4
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: SHINDENGEN
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Rectificadores de puente D15X100 D15XB100 SHINDENGEN 15A 1000V SIP4 para cocina de inducción
Especificaciones técnicas del producto
número de parte
D15X100
Número de parte base
D15XB100
RoHS de la UE
Cumple con la exención
ECCN (EE. UU.)
E... Ver más
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06N90E FMV06N90E FMH06N90E Semiconductores discretos 900V 6A
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: FUJI
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06N90E FMV06N90E FMH06N90E Mosfet 900V 6A TO 220F Componentes electrónicos
06N90E FMV06N90E FMH06N90E Mosfet 900V 6A A 220F
Especificaciones técnicas del producto
número de parte
FMV06N90E FMH06N90E
Número de parte base
06N90E
RoHS de la UE
Cumple ... Ver más
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Semiconductores discretos del canal N de GT50N322A 50N322 IGBT Soporte de orificio pasante
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Toshiba America Electronic Components
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GT50N322A 50N322 Toshiba America Componentes electrónicos IGBT N-Channel 1000V 3 pines TO-3P(N) Componentes IGBT DISCRETOS
Especificaciones técnicas del producto
número de parte
GT50N322A
Número de parte base
50N322
RoHS de la UE
Cumple con la exención... Ver más
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Infineon HEXFET Power MOSFET N Canal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
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IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/International Rectifier IOR HEXFET MOSFET N-Channel 55V 30A DPAK Productos de semiconductores discretos
Canal N 55 V 30 A (Tc) 120 W (Tc) Montaje en superficie D-Pak
Descripción
Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento... Ver más
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IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Mosfet de potencia IRFB7440PBF 40V 120A
Precio: Negotiated
MOQ: 10pieces
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
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IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A Transistores TO-220AB HEXFET FET MOSFET
Transistores Canal N 180A 200W Agujero pasante TO-220AB HEXFET FET MOSFET
---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
Descripción:Este MOSFET de potencia HEXFET® ... Ver más
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IRF1404ZPBF Transistor de canal N 180A 200W HEXFET FET MOSFET
Precio: Negotiated
MOQ: 10pieces
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
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IRF1404ZPBF Transistores Canal N 180A 200W Agujero pasante TO-220AB HEXFET FET MOSFET
Canal N 180A (Tc) 200W (Tc) Orificio pasante TO-220AB Especificación:
Categoría
Productos semiconductores discretos
Transistores - FET, MOSFET - ... Ver más
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BTA16-800CW BTA16 TRIAC Tiristor 800V 16A Semiconductores discretos
Precio: Negotiated
MOQ: 10pieces
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: STMicroelectronics
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BTA16-800CW TRIAC Estándar 800 V 16 A Orificio pasante TO-220 Productos semiconductores discretos Tiristores --TRIAC Estándar 800 V 16 A Orificio pasante TO-220 T1610, T1635, T1650 BTA16, BTB16Snubberless™, nivel lógico y Triac estándar de 16 A Hoja de datos Aplicaciones• Versiones sin amortiguadore... Ver más
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Semiconductor de potencia del transistor H30R1602 de IHW30N160R2 IGBT
Precio: Negotiated
MOQ: 10pieces
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
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IHW30N160R2 IGBTs Transistores H30R1602 Serie de conmutación suave Semiconductores de potencia IC IHW30N160R2FKSA1Serie de conmutación suave
Aplicaciones:
• Cocina inductiva
• Aplicaciones de conmutación suave
Descripción:
TrenchStop® de conducción inversa (RC-)IGBT con diodo de cuerpo mono... Ver más
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Semiconductores discretos IGBT de alto voltaje IXYS IXGH24 IXGH24N170
Precio: Negotiated
MOQ: 10pieces
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: IXYS
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IXGH24N170 IXYS IGBT de alto voltaje IXGH24 IGBT 1700V 50A 250W TO247AD Productos semiconductores discretos
Especificación: Alto voltaje IGBT NPT 1700 V 50 A 250 W Orificio pasante TO-247AD
número de parte
IXGH24N170
Categoría
Productos semicond... Ver más
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Semiconductores discretos BJT del transistor bipolar de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Nexperia USA Inc.
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Transistor bipolar 500V 0,5 de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia (BJT) UN NPN un transistor bajo de alto voltaje de NPN VCEsat (BISS)
Transistor bajo de alto voltaje discreto de los productos-UNo NPN VCEsat (BISS) del semiconductor
Descripción:
Brecha baja de alto voltaje de NPN VCEsat en pequ... Ver más
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FETs de los transistores del MOSFET 49V 80A del canal N de BTS282Z E3230 TO220-7
Precio: Negotiated
MOQ: 10pieces
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
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FETs de los transistores del MOSFET 49V 80A del canal N de BTS282Z E3230 TO220-7
MOSFET del poder BTS282ZE3230AKSA2 de Infineon Technologies. Su disipación de poder máxima es 300000 mW.
Para asegurar piezas no son dañados por el empaquetado a granel, este producto viene en el tubo que empaque... Ver más
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V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrera Schottky Rectificador
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Vishay General Semiconductor
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V20PWM45 V20PWM45C-M3/I Vishay Semiconductor Alta densidad de corriente TMBS Trench MOS Barrera Schottky Rectificador DPAK Productos de semiconductores discretos V20PWM45:Rectificador de alta densidad de corriente de montaje en superficie TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Ultra bajo VF = 0,35 V a ... Ver más
{"cid":"52884","pid":"14527584","pimg_url":"\/\/img1.ecerimg.com\/d4\/b8\/938ac9b1e21f\/product\/37025760_s-w400xh400.jpg","name":"V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrera Schottky Rectificador","attrs":{"Precio":"Negotiated","MOQ":"10","El tiempo de entrega":"2-15days","Marca":"Vishay General Semiconductor"}}
F3L400R07W3S5B11 F3L400R07W3S5_B59 F3L400R07W3S5BPSA1 F3L400R07W3S5 MÓDULO IGBT
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: Negotiable
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MÓDULO INVERSOR IGBT F3L400R07W3S5B11 650V 200A 3 NIVELES F3L400R07W3S5B11BPSA1
MÓDULO IGBT F3L400R07W3S5B11 F3L400R07W3S5_B59 F3L400R07W3S5BPSA1 F3L400R07W3S5
Aplicaciones:
Control de Movimiento - Electrodomésticos / Motores Industriales
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Módulos IGBT NXH160T120L2Q2F2S1G 1200V 160A y módulo integrado IGBTPower de 650V 100A (PIM)
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: Negotiable
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NXH160T120L2Q2F2S1G módulos IGBT 1200V 160A y 650V 100A módulo integrado IGBTPower (PIM)
Módulo integrado de potencia PIM IGBT 1200V 160A y 650V 100A NXH160T120L2Q2F2S1G
Aplicaciones:
Control de movimiento - electrodoméstico / motor industrial
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NXH450N65L4Q2F2SG I-Type NPC 650V 450A IGBT 650V 375A Pines de soldadura de diodo Módulo integrado de potencia (PIM)
Precio: Negotiated
MOQ: 1
El tiempo de entrega: Negotiable
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NXH450N65L4Q2F2SG NPC de tipo I 650V 450A IGBT 650V 375A Diodos de soldadura con pines módulo integrado de potencia (PIM)
Aplicaciones:
Control de movimiento - electrodoméstico / motor industrial
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MÓDULO IGBT NXH80T120L2Q0S2G 1200V 67A 158W 20PIM
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: Negotiable
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NXH80T120L2Q0S2G MÓDULO IGBT DE 1200V 67A 158W 20-PIM
NXH80T120 Módulo de Potencia Integrado (PIM) T-Type NPC IGBT de 1200V 80A IGBT de 600V 50A Soldable NXH80T120L2Q0S2G
Aplicaciones:
Control de Movimiento - Electrodomésticos / Motores Industriales
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{"cid":"52884","pid":"54558039","pimg_url":"\/\/img1.ecerimg.com\/d4\/b8\/938ac9b1e21f\/product\/212933156_s-w400xh400.jpg","name":"M\u00d3DULO IGBT NXH80T120L2Q0S2G 1200V 67A 158W 20PIM","attrs":{"Precio":"Negotiated","MOQ":"10","El tiempo de entrega":"Negotiable"}}
NXH160T120 IGBT MOD 1200V 140A 280W 30-PIM
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: Negotiable
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Módulos IGBT NXH160T120 1200V 140A 280W Módulo de Potencia Integrado IGBT (PIM)
MÓDULO IGBT NXH160T120 1200V 140A 280W 30-PIM NXH160T120L2Q1SG
Aplicaciones:
Control de Movimiento - Electrodomésticos / Motores Industriales
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{"cid":"52884","pid":"54558416","pimg_url":"\/\/img1.ecerimg.com\/d4\/b8\/938ac9b1e21f\/product\/212940837_s-w400xh400.jpg","name":"NXH160T120 IGBT MOD 1200V 140A 280W 30-PIM","attrs":{"Precio":"Negotiated","MOQ":"10","El tiempo de entrega":"Negotiable"}}
Amplificador controlado IC TDF8546 DF8546JV/N2Z TDF8546J/N2 TDF8546JS del autobús de I2C
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Philip
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Amplificador controlado IC de la eficacia del autobús de TDF8546 DF8546JV/N2Z TDF8546J/N2 TDF8546JS I2C mejor
Resumen de características
El TDF8546 es uno de una nueva generación de amplificadores de potencia audios Puente-atados patio complementario de la carga (BTL) previstos para los us... Ver más
{"cid":"52884","pid":"31285825","pimg_url":"\/\/img1.ecerimg.com\/d4\/b8\/938ac9b1e21f\/product\/118094748_s-w400xh400.jpg","name":"Amplificador controlado IC TDF8546 DF8546JV\/N2Z TDF8546J\/N2 TDF8546JS del autob\u00fas de I2C","attrs":{"Precio":"Negotiated","MOQ":"10","El tiempo de entrega":"2-15days","Marca":"Philip"}}
