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| Precio | Negotiated |
| MOQ | 10pieces |
| El tiempo de entrega | 2-15days |
| Marca | Infineon Technologies/International Rectifier IOR |
| Lugar del origen | China |
| Certification | ROHS |
| Number modelo | IRF1404ZPBF |
| Detalles de empaquetado | paquete estándar |
| Condiciones de pago | T/T, Western Union |
| Capacidad de la fuente | 500000PCS |
| Brand Name | Infineon Technologies/International Rectifier IOR | Number modelo | IRF1404ZPBF |
| Certification | ROHS | Lugar del origen | China |
| Cantidad de orden mínima | 10pieces | Price | Negotiated |
| Condiciones de pago | T/T, Western Union | Capacidad de la fuente | 500000PCS |
| Plazo de expedición | 2-15days | Detalles de empaquetado | paquete estándar |
| Familia | Productos semiconductores discretos | Categoría | Componentes Electrónicos-MOSFET (Óxido Metálico) |
| Serie | MOSFET HEXFET (óxido de metal) | Número de parte bajo | IRF1404 |
| Detalles | Canal N 180A (Tc) 200W (Tc) Orificio pasante TO-220AB | Tipo | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Descripción | MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB | Paquete | TO220 |
| Montaje del tipo | A través del agujero | Las existencias | En stock |
IRF1404ZPBF Transistores Canal N 180A 200W Agujero pasante TO-220AB HEXFET FET MOSFET
Canal N 180A (Tc) 200W (Tc) Orificio pasante TO-220AB Especificación:
|
Categoría
|
Productos
semiconductores
discretos
|
|
Transistores
-
FET,
MOSFET
-
Simple
|
|
|
Fabricante
|
Tecnologías
de
Infineon
|
|
Serie
|
HEXFET®
|
|
Paquete
|
Tubo
|
|
Tipo
FET
|
Canal
N
|
|
Tecnología
|
MOSFET
(óxido
de
metal)
|
|
Voltaje
de
drenaje
a
fuente
(Vdss)
|
40
voltios
|
|
Corriente
-
Drenaje
continuo
(Id)
@
25°C
|
180A
(Tc)
|
|
Voltaje
de
accionamiento
(Max
Rds
On,
Min
Rds
On)
|
10V
|
|
Rds
On
(Máx.)
@
Id,
Vgs
|
3,7
mOhm
a
75
A,
10
V
|
|
Vgs(th)
(Máx.)
@
Id.
|
4V
@
250µA
|
|
Carga
de
puerta
(Qg)
(Máx.)
@
Vgs
|
150
nC
a
10
V
|
|
Vgs
(Máx.)
|
±20V
|
|
Capacitancia
de
entrada
(Ciss)
(Máx.)
@
Vds
|
4340
pF
a
25
V
|
|
Función
FET
|
-
|
|
Disipación
de
energía
(máx.)
|
200W
(Tc)
|
|
Temperatura
de
funcionamiento
|
-55°C
~
175°C
(TJ)
|
|
Tipo
de
montaje
|
A
través
del
orificio
|
|
Paquete
de
dispositivo
del
proveedor
|
TO-220AB
|
|
Paquete
/
Caja
|
TO-220-3
|
|
Número
de
producto
básico
|
IRF1404
|
Descripción
Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio.
Las características adicionales de este producto son una temperatura de funcionamiento de la unión de 175 °C, una velocidad de conmutación rápida y una clasificación mejorada de avalanchas repetitivas.Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
| ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
|---|---|
| Estado RoHS | Cumple con ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
| REACH Estado | REACH no afectado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
8541.29.0095 |
| número de parte | IRF1404ZPBF |
| Número de parte base | IRF1404 |
| RoHS de la UE | Cumple con la exención |
| ECCN (EE. UU.) | EAR99 |
| Estado de la pieza | Activo |
| HTS | 8541.29.00.95 |
