Planar epitaxial del silicio de los diodos de transferencia 1SS226 para la transferencia ultra de alta velocidad
Precio: Negotiated
MOQ: 100pcs
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: ROHM Semiconductor
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Planar epitaxial del silicio de los diodos de transferencia 1SS226 para la transferencia de la Ultra-Alto-velocidad
1. Usos
• Transferencia de la Ultra-Alto-velocidad
2. Características
(1) AEC-Q101 calificó
Característica
Transferencia de alta velocidad
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Puente rectificador del MOSFET de los transistores de los diodos de rectificador de la barrera de SS36 SMB Schottky IC
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: vishay/ours
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componente electrónico montado superficial de los puentes rectificadores del MOSFET de los transistores del diodo de rectificador de la barrera de 3A SS36 SMB Schottky
Nombre:
diodo de rectificador de la barrera del paquete SMD Schottky de 3A SS32 SS33 SS34 SS35 SS36 SS39 SS310 SS31... Ver más
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Mosfet 60V 380mA de la señal del canal N de los transistores de los diodos de 2N7002K 2V7002K
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Onsemi
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2N7002K 2V7002K Señal mosfet N-Channel Pequeño 60V 380mA Componentes semiconductores Módulos discretos y de potencia
2N7002K 2V7002K MOSFET de señal pequeña de canal N 60V 380mA
Aplicaciones:
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Circuitos de cambio de nivel
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Aplicaciones p... Ver más
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1SMB5918B 5.1 V Diodo Zener DO-214AA SMB Semiconductor discreto
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Rectron/OEM
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1SMB5918B Diodo Zener ±5 % Montaje en superficie DO-214AA SMB Semiconductor discreto
Especificación:
Categoría
Productos semiconductores discretos
Diodos - Zener - Individuales
número de parte
1SMB5918B
Paquete
Cinta y carrete (TR)
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Transistores ultrarrápidos de los diodos de STGWA19NC60HD GWA19NC60HD IGBT 31A 600V
Precio: Negotiated
MOQ: 10pieces
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: STMicroelectronics
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STGWA19NC60HD GWA19NC60HD IGBT ultrarrápido 31 A 600 V IGBT rápido mismo con el diodo ultrarrápido
Transistores - IGBTs - sola 31 A, 600 V, IGBT muy rápido con el diodo ultrarrápido
Detalles del producto
Descripción:
Este dispositivo es un IGBT ultrarrápido.
Utiliza el proceso avanzado d... Ver más
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SMC B530C Diodos Zener Transistores 30V 5A Diodo Schottky de potencia
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: JI
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B530C Diodo Zener SCHOTTKY 30V 5A Semiconductor discreto SMC
Especificación:
Categoría
Productos semiconductores discretos
Diodos - Diodo SCHOTTKY
número de parte
B530C
Paquete
Cinta y carrete (TR)
Estado de la pieza
Activo... Ver más
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Diodo de señal de la transferencia LL34 1N4148 del poder del diodo de rectificador FDLL4148 pequeño
Precio: Negotiated
MOQ: 100pcs
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: FAIRCHILD/ONSEMI
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Diodo de señal de la transferencia LL34 1N4148 MINI-MELF SOD80 del poder del diodo de rectificador FDLL4148 pequeño
El diodo de transferencia vidrio-incluido ll-34 introducido por el gaot tiene la altas estabilidad y confiabilidad, corriente reversa baja de la salida,
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Transistores Digitaces BJT NPN 50V 100mA 200mW del semiconductor de DTC123YUA ROHM
Precio: Negotiated
MOQ: 100pcs
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: ROHM Semiconductor
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Transistores Digitaces BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin DTC123YUAT106 del semiconductor de DTC123YUA ROHM
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Descripción
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DF10S2 DF10S Diodo rectificador de puente monofásico 1KV 1.5A 4 Pin SDIP SMD
Precio: Negotiated
MOQ: 10pieces
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Diodes Incorporated
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Diodo de puente rectificador DF10S2 DF10S Single 1KV 1.5A Diodos SDIP SMD de 4 pines incorporados
Diodo de puente rectificador DF10S2 Único 1KV 2A 4 pines
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60V 10.8A Diodos Transistores FETS DMT6009LSS-13 Canal único MOSFET N
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Diodes
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Solos transistores del canal N 60V 10.8A del MOSFET DMT6009LSS-13
Semiconductor discreto del MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2 de los FETS
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Diodo rectificador de barrera Schottky de montaje en superficie 1N5822 SS34 3.0A 40V
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: JI/ONSEMI
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Rectificador de barrera Schottky 1N5822 SS34 3.0A 40V adecuado para usar como rectificadores en inversores de baja tensión y alta frecuencia
El rectificador Schottky emplea el principio de barrera Schottky en un diodo de potencia de metal a silicio de gran área.
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TDA7297 TDA7294V Amplificador de audio IC AMP AB MONO 100W 15 Multivatios
Precio: Negotiated
MOQ: 10pieces
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: STMicroelectronics
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TDA7297 TDA7294V TDA2050V TDA2040V TDA2030V TDA2005R TDA2003V
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GP BJT NPN 60V 50mA Diodos Transistores CMPT2484 Central Semiconductor
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Central Semiconductor
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CMPT2484 Semiconductor central Transistores de diodo GP BJT NPN 60V 50mA 3 pines SOT-23 Semiconductor discreto
Especificación:
Categoría
Productos semiconductores discretos
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número de parte
CMPT2484TR
Paquete
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El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable se calculará en función de las condiciones de producción y de las condiciones de producción.
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: Negotiable
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GWA80H65DFB STGWA80H65DFBAG ST de alta velocidad de la serie HB IGBT
Precio: Negotiated
MOQ: 10pieces
El tiempo de entrega: Negotiable
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K50MCH3 IGBT 1200V 100A TO247-3-46 IKQ50N120CH3 IKQ50N120CH3XKSA1
Precio: Negotiated
MOQ: 10
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C2M1000170 Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3 pines (3+pestaña) TO-247
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: Negotiable
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IRFB4110PBF IRFB4310ZPBF IRFB4115PBF IRFB4115PBFXKMA1
Precio: Negotiated
MOQ: 10pieces
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Componentes electrónicos del semiconductor del MOSFET Toshiba de SSM3K36MFV
Precio: Negotiated
MOQ: 100pcs
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Toshiba Semiconductor
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Características
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TRANSISTOR DE POTENCIA MJE182 Bipolar (BJT) Transistor Único NPN 80V TO-225 MJE182G
Precio: Negotiated
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