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| Precio | Negotiated |
| MOQ | 10 |
| El tiempo de entrega | 2-15days |
| Marca | Infineon Technologies/International Rectifier IOR |
| Lugar del origen | China |
| Certification | ROHS |
| Number modelo | IRLR3915TRPBF |
| Detalles de empaquetado | paquete estándar |
| Condiciones de pago | T/T, Western Union |
| Capacidad de la fuente | 500000PCS |
| Brand Name | Infineon Technologies/International Rectifier IOR | Number modelo | IRLR3915TRPBF |
| Certification | ROHS | Lugar del origen | China |
| Cantidad de orden mínima | 10 | Price | Negotiated |
| Condiciones de pago | T/T, Western Union | Capacidad de la fuente | 500000PCS |
| Plazo de expedición | 2-15days | Detalles de empaquetado | paquete estándar |
| Familia | Productos semiconductores discretos | Categoría | Componentes Electrónicos-MOSFET (Óxido Metálico) |
| Serie | MOSFET HEXFET (óxido de metal) | Número de parte bajo | IRLR3915 |
| Detalles | Canal N 55 V 30 A (Tc) 120 W (Tc) Montaje en superficie D-Pak | Tipo | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Descripción | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK | Paquete | TO-252-3, DPak (2 conductores + pestaña), SC-63 |
| Montaje del tipo | Soporte superficial | Las existencias | En stock |
IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/International Rectifier IOR HEXFET MOSFET N-Channel 55V 30A DPAK Productos de semiconductores discretos
Canal N 55 V 30 A (Tc) 120 W (Tc) Montaje en superficie D-Pak
Descripción
Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio.
Las características adicionales de este producto son una temperatura de funcionamiento de la unión de 175 °C, una velocidad de conmutación rápida y una clasificación mejorada de avalanchas repetitivas.Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
Características :
Tecnología de proceso avanzada Resistencia de encendido ultrabaja Temperatura de funcionamiento de 175 °C Cambio rápido Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea
| número de parte | IRLR3915TRPBF |
| Número de parte base | IRLR3915 |
| RoHS de la UE | Cumple con la exención |
| ECCN (EE. UU.) | EAR99 |
| Estado de la pieza | Activo |
| HTS | 8541.29.00.95 |
|
Categoría
|
Productos
semiconductores
discretos
|
|
Transistores
-
FET,
MOSFET
-
Simple
|
|
|
Fabricante
|
Tecnologías
de
Infineon
|
|
Serie
|
HEXFET®
|
|
Paquete
|
Cinta
y
carrete
(TR)
|
|
Estado
de
la
pieza
|
Activo
|
|
Tipo
FET
|
Canal
N
|
|
Tecnología
|
MOSFET
(óxido
de
metal)
|
|
Voltaje
de
drenaje
a
fuente
(Vdss)
|
55V
|
|
Corriente
-
Drenaje
continuo
(Id)
@
25°C
|
30A
(Tc)
|
|
Voltaje
de
accionamiento
(Max
Rds
On,
Min
Rds
On)
|
5V,
10V
|
|
Rds
On
(Máx.)
@
Id,
Vgs
|
14mOhm
@
30A,
10V
|
|
Vgs(th)
(Máx.)
@
Id.
|
3V
@
250µA
|
|
Carga
de
puerta
(Qg)
(Máx.)
@
Vgs
|
92
nC
a
10
V
|
|
Vgs
(Máx.)
|
±16V
|
|
Capacitancia
de
entrada
(Ciss)
(Máx.)
@
Vds
|
1870
pF
a
25
V
|
|
Función
FET
|
-
|
|
Disipación
de
energía
(máx.)
|
120W
(Tc)
|
|
Temperatura
de
funcionamiento
|
-55°C
~
175°C
(TJ)
|
|
Tipo
de
montaje
|
Montaje
superficial
|
|
Paquete
de
dispositivo
del
proveedor
|
Paquete
D
|
|
Paquete
/
Caja
|
TO-252-3,
DPak
(2
conductores
+
pestaña),
SC-63
|
|
Número
de
producto
básico
|
IRLR3915
|
