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| Precio | Negotiated |
| MOQ | 10pieces |
| El tiempo de entrega | 2-15days |
| Marca | Infineon Technologies/International Rectifier IOR |
| Lugar del origen | China |
| Certification | ROHS |
| Number modelo | IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF |
| Detalles de empaquetado | paquete estándar |
| Condiciones de pago | T/T, Western Union |
| Capacidad de la fuente | 500000PCS |
| Brand Name | Infineon Technologies/International Rectifier IOR | Number modelo | IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF |
| Certification | ROHS | Lugar del origen | China |
| Cantidad de orden mínima | 10pieces | Price | Negotiated |
| Condiciones de pago | T/T, Western Union | Capacidad de la fuente | 500000PCS |
| Plazo de expedición | 2-15days | Detalles de empaquetado | paquete estándar |
| Familia | Productos semiconductores discretos | Categoría | Componentes Electrónicos-MOSFET (Óxido Metálico) |
| Serie | MOSFET HEXFET (óxido de metal) | Número de parte bajo | IRFB4 |
| Detalles | Canal N 180A (Tc) 200W (Tc) Orificio pasante TO-220AB | Tipo | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Descripción | Transistores MOSFET N-CH TO220AB | Paquete | TO220 |
| Montaje del tipo | A través del agujero | Las existencias | En stock |
IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A Transistores TO-220AB HEXFET FET MOSFET
Transistores Canal N 180A 200W Agujero pasante TO-220AB HEXFET FET MOSFET
---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
Descripción:
Este
MOSFET
de
potencia
HEXFET®
utiliza
las
últimas
técnicas
de
procesamiento
para
lograr
una
resistencia
extremadamente
baja
por
área
de
silicio.
Las
características
adicionales
de
este
producto
son
una
temperatura
de
funcionamiento
de
la
unión
de
175
°C,
una
velocidad
de
conmutación
rápida
y
una
clasificación
mejorada
de
avalanchas
repetitivas.Estas
características
se
combinan
para
hacer
de
este
diseño
un
dispositivo
extremadamente
eficiente
y
confiable
para
usar
en
una
amplia
variedad
de
aplicaciones.
Canal
N
180A
(Tc)
200W
(Tc)
Orificio
pasante
TO-220AB
Especificación:
|
Categoría
|
Productos
semiconductores
discretos
|
|
Transistores
-
FET,
MOSFET
-
Simple
|
|
|
Fabricante
|
Tecnologías
de
Infineon
|
|
Serie
|
HEXFET®
|
|
Paquete
|
Tubo
|
|
Tipo
FET
|
Canal
N
|
|
Tecnología
|
MOSFET
(óxido
de
metal)
|
|
Voltaje
de
drenaje
a
fuente
(Vdss)
|
40
voltios
|
|
Corriente
-
Drenaje
continuo
(Id)
@
25°C
|
180A
(Tc)
|
|
Voltaje
de
accionamiento
(Max
Rds
On,
Min
Rds
On)
|
10V
|
|
Rds
On
(Máx.)
@
Id,
Vgs
|
3,7
mOhm
a
75
A,
10
V
|
|
Vgs(th)
(Máx.)
@
Id.
|
4V
@
250µA
|
|
Carga
de
puerta
(Qg)
(Máx.)
@
Vgs
|
150
nC
a
10
V
|
|
Vgs
(Máx.)
|
±20V
|
|
Capacitancia
de
entrada
(Ciss)
(Máx.)
@
Vds
|
4340
pF
a
25
V
|
|
Función
FET
|
-
|
|
Disipación
de
energía
(máx.)
|
200W
(Tc)
|
|
Temperatura
de
funcionamiento
|
-55°C
~
175°C
(TJ)
|
|
Tipo
de
montaje
|
A
través
del
orificio
|
|
Paquete
de
dispositivo
del
proveedor
|
TO-220AB
|
|
Paquete
/
Caja
|
TO-220-3
|
|
Número
de
producto
base
|
IRF1404
|
| ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
|---|---|
| Estado RoHS | Cumple con ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
| REACH Estado | REACH no afectado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
