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| Precio | Negotiated |
| MOQ | 1000-2000 PCS |
| El tiempo de entrega | 1 - 2 Weeks |
| Marca | OTOMO |
| Lugar del origen | Shenzhen China |
| Certification | RoHS、SGS |
| Number modelo | 8205A |
| Detalles de empaquetado | Encajonado |
| Condiciones de pago | L/C T/T Western Union |
| Capacidad de la fuente | 18,000,000PCS/por día |
| Lugar del origen | Shenzhen China | Brand Name | OTOMO |
| Certification | RoHS、SGS | Cantidad de orden mínima | PCS 1000-2000 |
| Price | Negotiated | Detalles de empaquetado | Encajonado |
| Plazo de expedición | 1 - 2 semanas | Condiciones de pago | L/C T/T Western Union |
| Capacidad de la fuente | 18,000,000PCS/por día | Number modelo | 8205A |
| Nombre de producto | Transistor de poder del Mosfet | VDSS | 6,0 A |
| USO | Gestión del poder | CARACTERÍSTICA | Carga baja de la puerta |
| Transistor del mosfet del poder | SOT-23-6L Plástico-encapsulan |
8205A SOT-23-6L Plástico-encapsulan el MOSFET dual del canal N de los MOSFETS
Descripción general
|
VDSS= V ID= 6,0 A z 20 |
G1 6 |
D1, D2 5 |
G2 4 |
|||||
| z |
RDS (encendido) los 25m GS |
|||||||
| z |
RDS (encendido) los 32m GS |
1 2 3 S1 D1, D2 S2 |
||||||
CARACTERÍSTICA
MOSFET del poder de z TrenchFET
z RDS excelente (encendido)
carga baja de la puerta de z
poder más elevado de z y capacidad que da actual
paquete superficial del soporte de z
USO
protección de la batería de z
interruptor de la carga de z
gestión del poder de z
| Condición de prueba del símbolo del parámetro Min Typ Max Unit |
| CHARACTERICTISCS ESTÁTICO |
| voltaje de avería de la Dren-fuente V (BR) DSS VGS = 0V, identificación =250µA 19 V |
| Dren cero IDSS actual VDS =18V, del voltaje de la puerta µA VGS = 0V 1 |
| salida IGSS actual VGS =±10V, nA del Puerta-cuerpo de VDS = de 0V ±100 |
| Voltaje del umbral de la puerta (nota 3) VGS (th) VDS =VGS, identificación =250µA 0,5 0.9V |
| Tranconductance delantero (gFS VDS =5V, identificación =4.5A 10 S de la nota 3) |
| Voltaje delantero del diodo (nota 3) VSD IS=1.25A, VGS = 0V 1,2 V |
| CHARACTERICTISCS DINÁMICO (note4) |
| CISS entrado de la capacitancia 800 PF |
| Capacitancia de salida Coss VDS =8V, VGS =0V, f =1MHz 155 PF |
| Capacitancia reversa Crss 125 PF de la transferencia |
| TRANSFERENCIA CHARACTERICTISCS (nota 4) |
| Tiempo de retraso de abertura TD (encendido) 18 ns |
| Tiempo de subida de abertura tr VDD=10V, VGS=4V, 5 ns |
| Tiempo de retraso de la vuelta-apagado TD (apagado) ID=1A, RGEN=10Ω 43 ns |
| Tiempo de caída de la vuelta-apagado tf 20 ns |
| Carga total Qg 11 nC de la puerta |
| Carga Qgs VDS =10V, VGS =4.5V, ID=4A 2,3 nC de la Puerta-fuente |
| Carga Qgd 2,5 nC del Puerta-dren |
Notas:
1. Grado repetidor: Anchura de Pluse limitada por temperatura de empalme máxima
2. Superficial montado en FR4 el tablero, sec t≤10.
3. Prueba del pulso: Pulso width≤300μs, deber el cycle≤2%.
4. Garantizado por diseño, no conforme a la producción.
Dimensiones del esquema del paquete de SOT-23-6L
