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| Precio | Negotiation |
| MOQ | Negotiation |
| El tiempo de entrega | 15-45 days |
| Marca | Antaeus |
| Lugar del origen | Hunan, China |
| Certification | / |
| Number modelo | AD-C016 |
| Detalles de empaquetado | Empaquetamiento al vacío interno, cartón exterior. |
| Condiciones de pago | T/T o negociación |
| Capacidad de la fuente | Fuente completa |
| Brand Name | Antaeus | Number modelo | AD-C016 |
| Certification | / | Lugar del origen | Hunan, China |
| Cantidad de orden mínima | Negociación | Price | Negotiation |
| Condiciones de pago | T/T o negociación | Capacidad de la fuente | Fuente completa |
| Plazo de expedición | 15-45 días | Detalles de empaquetado | Empaquetamiento al vacío interno, cartón exterior. |
| Nombre de producto | Bloques de conector de cerámica/piezas funcionales especiales de la cerámica | Contenido AL2O3 | el 90% - el 99% |
| Extensible | 30 Kpsi - 32 Kpsi | Flexural | 55 Kpsi - 60 Kpsi |
| Compresivo | 300 Kpsi - 330 Kpsi | Densidad | 3,7 g/cc - 3,92 g/cc |
| Dureza | 13,8 alto voltaje, Gpa - 18 alto voltaje, Gpa | Conductividad termal | 25 con (m K) - 32 con (m K) |
| C.O.T.E | 75 en/In°C (x10^7) - 78 en/In°C (x10^7) | Temperatura de trabajo | 1500 °C - °C 1750 |
| Constante dieléctrica | 9.5 - 9,8 | Resistencia de volumen | >10^14 Ohmio-cm |
| Fuerza dieléctrica | 16 KV/mm - 20 KV/mm |
Bloques de conector de cerámica/piezas funcionales especiales de la cerámica
1. Descripción:
El propósito del paquete del circuito integrado es contener el dispositivo del silicio y conectarlo con el conjunto de circuitos eléctrico externo. Los materiales de embalaje deben tener constantes dieléctricas bajas (para minimizar el retraso en el tratamiento de señales), y deben conducir calor lejos de los dispositivos de semiconductor. El alúmina es pobre en ambas cuentas. los materiales de la Alto-termal-conductividad existen, pero son tampoco tóxicos (como en el caso del óxido del berilio, BeO) o son cerámica cofiring pobre (e.g., nitruro de aluminio, AlN). se han desarrollado las formaciones Vidrio-de cerámica que son fáciles de procesar, tienen constantes dieléctricas bajas, y también hacen juego los coeficientes del thermalexpansion de los metales de la alto-conductividad (oro y cobre) que se utilizan en conjunto de circuitos eléctrico. Sin embargo, tienen fuerzas bajas y conductividades termales bajas.
1) Altas dureza y alta densidad
2) Conductividad termal baja
3) Inercia química
4) Buena resistencia de desgaste
5) Alta dureza de la fractura
6) Buen funcionamiento del aislamiento
7) Resistencia da alta temperatura
8) Una variedad de especificaciones están disponibles
9) Satisfaga las diversas peticiones técnicas
10) Desperdicios medios más bajos
11) Textura de la tiesura
12) Inercia química
13) Buena resistencia de desgaste
14) Alta dureza de la fractura
15) Buen funcionamiento del aislamiento
3. Características/propiedades materiales:
| Color | Blanco o de marfil | Blanco o de marfil | Blanco o de marfil | |
| Densidad | g/cm 3 | 3,82 | 3,9 | 3,92 |
| Dureza | HRA | 83 | 85 | 85 |
| Fuerza flexural | Mpa (psi*10 3) | 375 | 386 | 381 |
4. Parámetros técnicos:
| Parámetros técnicos de la cerámica | ||||||||
| Artículos | Condiciones de prueba | Unidad o símbolo | El 99% AL2O3 | El 95% AL2O3 | El 90% AL2O3 | Circona | Esteatita | Carburo de silicio |
| Densidad de volumen | -- | g/cm3 | ≥3.70 | ≥3.62 | ≥3.40 | ≥5.90 | ≥2.60 | ≥3.08 |
| Tirantez | -- | PA·³ /s de m | ≤1.0×10-11 | ≤1.0×10-11 | ≤1.0×10-11 | - | - | - |
| Permeabilidad líquida | -- | -- | Paso | Paso | Paso | Paso | - | |
| Fuerza flexural | - | MPa | ≥300 | ≥280 | ≥230 | ≥1100 | ≥120 | ≥400 |
| Módulo de elástico | - | GPa | - | ≥280 | ≥250 | ≥220 | - | 400 |
| Ratio de Poisson | - | - | - | 0.20~0.25 | 0.20~0.25 | - | - | - |
| Resistencia de choque termal | ciclo 800℃ (temperatura ambiente): 10 veces | Paso | Paso | Paso | - | - | - | |
| Coeficiente de extensión linear | 20℃~100℃ | ×10-6 K-1 | - | - | - | ≤8 | - | |
| 20℃~500℃ | ×10-6 K-1 | 6.5~7.5 | 6.5~7.5 | 6.5~7.5 | 6.5~11.2 | - | - | |
| 20℃~800℃ | ×10-6 K-1 | 6.5~8.0 | 6.5~8.0 | 6.3~7.3 | - | 4 | ||
| 20℃~1200℃ | ×10-6 K-1 | - | 7.0~8.5 | - | - | - | - | |
| Coeficiente de conductividad termal | 20℃ | Con (m·k) | - | - | - | - | - | 90~110 |
| 1000℃ | ||||||||
| Constante dieléctrica | 1MHz 20℃ | - | 9.0~10.5 | 9.0~10 | 9.0~10 | - | ≤7.5 | - |
| 1MHz 50℃ | - | - | 9.0~10 | - | - | - | - | |
| 10GHz 20℃ | - | 9.0~10.5 | 9.0~10 | 9.0~10 | - | - | - | |
| Resistencia de volumen | 100℃ | Ω·cm | ≥1.0×1013 | ≥1.0×1013 | ≥1.0×1013 | - | ≥1.0×1012 | - |
| 300℃ | ≥1.0×1013 | ≥1.0×1010 | ≥1.0×1013 | - | - | - | ||
| 500℃ | ≥1.0×109 | ≥1.0×108 | -- | - | - | - | ||
| Fuerza perturbadora | C.C. | kV/mm | ≥17 | ≥15 | ≥15 | - | ≥20 | - |
| Durabilidad química | 1:9HCl | mg/c㎡ | ≤0.7 | ≤7.0 | - | - | - | - |
| 10%NaOH | mg/c㎡ | ≤0.1 | ≤0.2 | - | -- | - | - | |
| Tamaño de grano | - | μm | - | 3~12 | - | - | - | - |
5. Flujos de proceso:
El formular --- Granulación --- Formación --- Sinterización --- Pulido --- Impresión --- Niquelado --- Assembing --- El soldar --- Inspección --- Embalaje
6. Campos del uso:
Solicite extensamente los nuevos vehículos de la energía, el sistema de carga de las pilas, de la generación de energía solar, del almacenamiento de energía y del almacenamiento del poder, sistema eléctrico del vehículo eléctrico y así sucesivamente.
7. instalaciones de producción: Torre de Prilling, formando la máquina, horno de alta temperatura de la sinterización
8. Dispositivos de detección:
Probador eléctrico del funcionamiento, analizador del espesor del film, Granulometer, detector de escape del espectrómetro de masas del helio, metro universal de la fuerza del tirón
pasos del flujo 9.Order como belows: Investigación ---Cita --- Ponga una orden --- Producción --- Entrega
10. Nuestras ventajas: Garantía de calidad; Precio competitivo; Fuente de la fábrica directamente; Buen servicio
11.Shipping y paquete:
12. Nuestro mercado estado dirigido:
Notas: ¡Sobre la información solamente para la referencia y entre en contacto con por favor con nosotros para más detalles libremente cuando usted tiene cualquier investigación!
