Español
Registrarse
| Precio | USD10/piece |
| MOQ | 1 piece |
| El tiempo de entrega | 3 working days |
| Marca | ZG |
| Lugar del origen | China |
| Certification | CE |
| Number modelo | Ms |
| Detalles de empaquetado | Caja de madera fuerte para el envío global |
| Condiciones de pago | L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram |
| Capacidad de la fuente | 10000 pedazos por mes |
| Brand Name | ZG | Number modelo | Ms |
| Certification | CE | Lugar del origen | China |
| Cantidad de orden mínima | 1 pedazo | Price | USD10/piece |
| Condiciones de pago | L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram | Capacidad de la fuente | 10000 pedazos por mes |
| Plazo de expedición | 3 días laborables | Detalles de empaquetado | Caja de madera fuerte para el envío global |
| Uso | Dispositivo de poder más elevado Dispositivo optoelectrónico de la epitaxia de GaN del dispositivo D | Diámetro | /Ø 6"/Ø/Ø/Ø Ø 1" 2" 3" 4" |
| Grueso | 330 um ~ 350 um | Grado | Grado de la producción/grado de la investigación |
Oblea de SIC
La oblea de semiconductor, inc. (SWI) proporciona la oblea de alta calidad del solo cristal sic (carburo de silicio) a la industria electrónica y optoelectrónica. Sic la oblea es un material del semiconductor de la siguiente generación, con las propiedades eléctricas únicas y las propiedades termales excelentes, comparadas a la oblea de silicio y a la oblea del GaAs, sic oblea son más convenientes para la aplicación para dispositivos de la temperatura alta y del poder más elevado. Sic la oblea se puede suministrar en diámetro 2 pulgadas, 4H y 6H sic, N-tipo, nitrógeno dopado, y tipo semiaislante disponible. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto.
Sic uso de la oblea
| Dispositivo de alta frecuencia | Dispositivo de alta temperatura |
| Dispositivo de poder más elevado | Dispositivo optoelectrónico |
| Dispositivo de la epitaxia de GaN | Diodo electroluminoso |
Sic propiedades de la oblea
| Polytype | 6H-SiC | 4H-SiC |
| Secuencia de amontonamiento cristalina | ABCABC | ABCB |
| Parámetro del enrejado | a=3.073A, c=15.117A | a=3.076A, c=10.053A |
| Banda-Gap | eV 3,02 | eV 3,27 |
| Constante dieléctrica | 9,66 | 9,6 |
| Índice de la refracción | n0 =2.707, ne =2.755 | ne =2.777 de n0 =2.719 |
Especificación de producto
| Polytype | 4H / 6H |
|---|---|
| Diámetro | /Ø 4"/Ø Ø 2" 3" |
| Grueso | 330 um ~ 350 um |
| Orientación | En eje /del eje de 4° |
| Conductividad | N - tipo/semiaislante |
| Dopante | N2 ()/V (vanadio) del nitrógeno |
| Resistencia (4H-N) | 0,015 ~ 0,03 ohmio-cm |
| Resistencia (6H-N) | 0,02 ~ 0,1 ohmio-cm |
| Resistencia (SI) | > 1E5 ohmio-cm |
| Superficie | El CMP pulió |
| TTV | |
| Arco/deformación | |
| Grado | Grado de la producción/grado de la investigación |
