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| Precio | Negotiation |
| MOQ | 1 piece |
| El tiempo de entrega | 5-8 working days |
| Marca | ZG |
| Lugar del origen | CHINA |
| Certification | CE |
| Number modelo | Ms |
| Detalles de empaquetado | Caja de madera fuerte para el envío global |
| Condiciones de pago | L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram, MoneyGram |
| Capacidad de la fuente | 10000 pedazos por mes |
| Brand Name | ZG | Number modelo | Ms |
| Certification | CE | Lugar del origen | CHINA |
| Cantidad de orden mínima | 1 pedazo | Price | Negotiation |
| Condiciones de pago | L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram, MoneyGram | Capacidad de la fuente | 10000 pedazos por mes |
| Plazo de expedición | 5-8 días laborables | Detalles de empaquetado | Caja de madera fuerte para el envío global |
| Material | Nitruro de silicio Si3n4 | Tamaño | Modificado para requisitos particulares |
| color | Negro | características | alta dureza; alta resistencia a la corrosión; baja densidad; estabilidad en una amplia gama de tempe |
Para quitar el hidrógeno en el líquido de aluminio, un rotor hueco del nitruro de silicio se utiliza para alimentar el nitrógeno o el argón, y el gas disperso se revuelve en una velocidad para alcanzar la neutralización y la descarga del hidrógeno.
Ventaja:
Comparado con los rotores del grafito, el nitruro de silicio no será oxidado en ambientes des alta temperatura, así que no contaminará el líquido de aluminio y tiene una vida de servicio más larga;
La fuerza da alta temperatura del nitruro de silicio es alta, que se asegura de que el rotor corra suavemente en las velocidades.
El nitruro de silicio relacionó datos
| Componente principal | 99%Al2O3 | S-SIC | ZrO2 | Si3N4 | ||
|
Físico Propiedad |
Densidad | g/cm3 | 3,9 | 3,1 | 6 | 3,2 |
| Absorción de agua | % | 0 | 0,1 | 0 | 0,1 | |
| Temperatura del sínter | °C | 1700 | 2200 | 1500 | 1800 | |
|
Mecánico Propiedad |
Dureza de Rockwell | Alto voltaje | 1700 | 2200 | 1300 | 1400 |
| Fuerza de la curva | kgf/mm2 | 3500 | 4000 | 9000 | 7000 | |
| Intensidad de la compresión | Kgf/mm2 | 30000 | 20000 | 20000 | 23000 | |
|
Termal Propiedad |
Funcionamiento
máximo temperatura |
°C | 1500 | 1600 | 1300 | 1400 |
|
extensión
termal coeficiente 0-1000°C |
/°C | 8.0*10-6 | 4.1*10-6 (0-500°C) | 9.5*10-6 | 2.0*10-6 (0-500°C) | |
| 5.2*10-6 (500-1000°C) | 4.0*10-6 (500-1000°C) | |||||
| Resistencia de choque termal | T (°C) | 200 | 250 | 300 | 400-500 | |
| Conductividad termal | W/m.k (25°C | 31 | 100 | 3 | 25 | |
| 300°C) | 16 | 100 | 3 | 25 | ||
|
Eléctrico Propiedad |
Índice de resistencia de volumen | ◎los .cm | ||||
| 20°C | >1012 | 106-108 | >1010 | >1011 | ||
| 100°C | 1012-1013 | – | – | >1011 | ||
| 300°C | >1012 | – | – | >1011 | ||
|
Avería
del
aislamiento Intensidad |
KV/mm | 18 | semiconductor | 9 | 17,7 | |
| Constante dieléctrica (1 megaciclo) | (e) | 10 | – | 29 | 7 | |
| Disipación dieléctrica | (tg o) | 0.4*10-3 | – | – | – | |
